절연 파괴 전압(breakdown voltage) 이하에서 작동하는 역방향 바이어스 p-n 접합으로 구성된 광 다이오드의 한 가지. 적당한 주파수의 전자(electron) 방사에 노출되면 광전도성의 결과로 과잉 전하 반송자(excess charge carrier)가 생성된다. 이 반송자는 전자-정공 페어(electron-hole pair)의 형태인데 일반적으로 아주 신속하게 재결합된다. 그러나 p-n 접합에 존재하는 공핍층 내에서나 가까이에서 생성된 반송자는 접합을 건너감으로써 광전류를 생성한다. 광 다이오드는 크게 공핍층 광 다이오드와 애벌란시 광 다이오드(APD: Avalanche PhotoDiode)로 분류되며 공핍층 광 다이오드 중에서 가장 일반적인 것은 p-영역과 n-영역 사이에 진성(i형) 반도체의 층을 접합시킨 핀 광 다이오드(PIN photodiode) 이다.