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• 공핍층, 空乏層, depletion layer

  반도체의 p, n 접합 부근에 다수 반송자를 갖지 않는 영역. p형 반도체와 n형 반도체를 접합시키면 접합이 형성되는 순간 p, n 접합 부근에서 이온층이 형성되고, 접합의 양쪽 영역에는 어떠한 전도 전자나 정공이 존재하지 않는 층이 생기며 이 층 양쪽 끝에는 전위 장벽을 형성한다.