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• 사이코스, Sidewall Base Contact Structure, SICOS

  양극성 반도체(bipolar transistor)의 고속화를 위해서 베이스-이미터(base-emitter) 간의 거리를 제조 가능한 한계까지 축소시킨 트랜지스터 구조의 하나. 고속화에 필요한 외부 베이스 저항의 저감(低減)을 꾀하고 있다. 알파선에 의하여 오동작에 강한 구조로 할 수도 있고 메모리의 신뢰도 향상도 가능하다....