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• 삼중메틸갈륨, 三重-, TriMethyl Gallium, TMG

  LED 에피 웨이퍼(Epi Wafer) 작업 과정에 사용되는 핵심 소재. 고온(1000∼1200도)으로 가열된 유기 금속 화학 증착 장비(MOCVD) 내부에 TMG와 질소 가스를 넣으면 사파이어 웨이퍼(Sapphire Wafer) 표면에 질화갈륨(GaN) 층을 형성한다. TMG의 순도와 품질에 따라 LED 밝기와 신뢰성에 결정적인 영향을 미친다.