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• 확산, 擴散, diffusion

  포함시키기 위하여 특수한 원소 가스로 채운 고온의 공기 중에 웨이퍼를 방치하면 원소 가스가 웨이퍼 표면에서부터 내부로 침투하는 공정. 이때 어떤 원소 가스를 사용하는지에 따라 n형 또는 p형의 반도체 성질이 결정된다. 실리콘에 불순물을 침투시키는 데 주로 사용되는 확산 온도는 900~1,200℃이다.