p-영역과 n-영역 사이에 진성(i형) 반도체의 층을 접합시킨 구조의 광 다이오드. 공핍층은 전부 i-영역에 포함되는데, 이 i-영역의 두께를 조정함으로써 최적의 감수성과 주파수 반응 특성을 갖는 소자를 만들 수 있다. 핀 광 다이오드는 공핍층 광 다이오드 중에서 가장 일반적인 형이다. 레이저 광의 검출 및 혼합 변조관의 복조 또는 고속의 광 검출이나 광 데이터 처리 등에 사용된다.