임의 접근 기억 장치(RAM: Random Access Memory)의 한 종류로 정보를 구성하는 낱낱의 비트를 각기 분리된 커패시터(capacitor)에 저장하는 기억 장치.

중앙 처리 장치(CPU)에 의하여 데이터를 기록하고 판독할 수 있는 반도체 기억 장치인 램(RAM)에는 데이터 보존 방식에 따라 동적 램(DRAM: Dynamic Random Access Memory)과 정적 램(SRAM :Static Random Access Memory)의 두 종류가 있다.
DRAM은 집적 회로상의 커패시터들 전하의 유무에 따라 2진 숫자(0과 1)를 판별하는 방식으로 데이터를 저장한다. 그런데 커패시터 전하는 시간이 지나면 방전되기 때문에 DRAM에는 일정 주기로 재충전하여 데이터를 재생하는 논리가 포함되어 있다. DRAM이 재충전되고 있는 동안에는 마이크로프로세서에 의하여 판독될 수 없다. 따라서 DRAM이 재충전되고 있는 동안에 마이크로프로세서가 판독해야 할 때에는 1 또는 2 이상의 대기 상태가 발생한다. SRAM은 DRAM과는 달리 재충전에 의한 데이터의 재생이 불필요하기 때문에 DRAM보다 접근 속도가 훨씬 빠르다. 그러나 DRAM은 SRAM보다 접근 속도는 느리지만 내부 회로 구조가 간단하여 집적도(기억 밀도)가 높고 기억 용량 대비 가격이 저렴하다. DRAM은 같은 크기의 SRAM보다 약 4배의 정보를 저장할 수 있다.