반도체의 큰 분류 중 하나로, 전통적인 트랜지스터 기술을 사용하여 만들어진 집적 회로. 전자(electron)와 정공(hole) 2종류의 전하를 이용하여 트랜지스터 내에 전류를 흐르게 한 것으로, 반도체를 기판으로 하여 그 위에 트랜지스터, 다이오드, 저항, 콘덴서 등의 회로 소자를 형성한 것이다. 트랜지스터의 동작이 포화 상태에서 이루어지는지의 여부에 따라 포화형과 비포화형의 2종류가 있다. 최대 특징은 고속성이며, 전파(傳播) 지연 시간 0.5~0.7 나노초(ns)의 것이 실용화되었다. 구조가 간단하고 소비 전력이 적은 모스 집적 회로(MOS IC)에는 미치지 못하지만 금속 산화물 반도체(MOS)와의 혼용이 바람직한 전자 교환기의 논리부나 기타 고속 통신 기기 등에 이용된다.