플립플롭(flip-flop)에 데이터를 저장하는 반도체 기억 장치.램(RAM)은 데이터 보존 방식에 따라 동적 램(DRAM, 디램)과 정적 램(SRAM, 에스램)으로 나뉜다. 동적 램(DRAM)은 하나의 축전기(capacitor)와 트랜지스터로 구성된 셀에 비트 데이터를 저장하고, 정적 램(SRAM)은 플립플롭(flip-flop)이라는 쌍안정 논리 회로로 구성된 셀에 비트 데이터를 저장한다. 따라서, 누설 전류에 의한 데이터 손실을 방지하기 위해서 동적 램(DRAM)은 주기적으로 내용을 갱신해 주어야 하지만, 정적 램(SRAM)은 전원을 차단하지 않는 한 쌍안정 상태를 2진 숫자 0 및 1에 대응시켜 기억된 데이터가 안전하게 보존된다. 하나의 정적 램(SRAM) 칩은 같은 규모의 동적 램(DRAM) 칩보다 저장 용량이 작아 비싸지만, 재생(refreshing)을 필요로 하지 않아 동적 램(DRAM)에 비해 접근 속도가 훨씬 빠르다. 이러한 특성으로 주로 소용량의 캐시 메모리에 주로 사용된다.